晶圆几何形貌量测设备

WAFER GEOMETRY METROLOGY SYSTEM

Puristone晶圆几何形貌量测设备,光谱共焦亳秒级解析THICKNESS/TTV/BOW等全参数,白光干涉亚纳米3D重构粗糙度+形貌;七点相移算法突破单层/多层膜厚极限,红外多频技术智能穿透碳化硅/氮化镓等硬材BONDING WAFER!一机掌控全域精密测量!

产品介绍

 

PRODUCT INTRODUCTION

产品特点

 

PRODUCT FEATURES

检测范围广

 

系统兼容150mm至300mm不同尺寸的晶圆处理,同时支持标准片、Frame片、Taiko片以及减薄片等多种晶圆类型,全面满足先进半导体生产工艺中的质量检测与尺寸量测需求。

覆盖广泛

 

专注于亚微米级精度的2D与3D图形缺陷检测,以及关键尺寸(CD)与套刻精度(OVL)的精密量测,广泛适用于多种半导体制造缺陷的检测,包括但不限于残胶、过显影问题、RDL(再布线层)缺陷、Bump变形、金属残留及表面脏污等。

精准全测

 

集成了白光三角测量技术,精准测定Bump和RDL高度,测量范围覆盖1um至400um;同时,采用红外测量技术,对TSV(硅通孔)的高度与宽度进行精确量测,范围达1-150um。此外,设备还配备了白光干涉测量功能,不仅能够测量1um至200um范围内的厚度,还具备检测内部裂纹、线路缺陷等高级检测能力,确保全面而精确的半导体制造质量管控。

稳定高效

 

搭载高性能系统平台,采用高刚性大理石基座确保稳定,配备X/Y运动平台,实现高达1G加速度与小于1um的定位精度。高性能气浮隔振技术有效隔绝环境振动干扰,而高响应、高负载(35KG)的Z轴设计,支持多个检测模块实时对焦响应。

产品案例

 

PRODUCT CASES